採択結果

技術開発テーマ1

ＳＸ中核領域発展研究「ＳＸ－ＡＲＫ」

技術開発テーマ2

「熱とデバイス」領域

事業名：耐放射線・超低電力CNT マイクロプロセッサの開発

概　要

宇宙空間での電子機器に求められる耐放射性、超低消費電力、高性能を同時に実現するカーボンナノチューブ（CNT）マイクロプロセッサの開発を目指す。低欠陥・長尺半導体CNTの分離抽出技術と高密度配向CNT膜の成膜技術の開発に取り組み、移動度と素子電流密度の向上を進め、CNT FETの高性能性と超低消費電力性を実証する。耐放射性については、CNT材料固有の強固な共有結合と微小体積の効果に加え、アレイ状CNT膜による冗長性の付与や、イオン伝導性保護膜によるトラップ電荷遮蔽など、斬新なアイデアにより取り組む。また、放射線の影響をマクロプロセッサのレベルにおいても定量的に評価し、耐放射性の観点からアーキテクチャを新たに開発する。3年間の到達目標として、最先端の国産宇宙用プロセッサと同等の耐放射性と100倍のエネルギー効率をもつ可能性を明らかにすることを目指す。

代表機関名

国立大学法人東海国立大学機構名古屋大学

採択通知・公表日

2026-03-13

状況

-

担当PO

満田 和久　国立天文台 先端技術センター 前特任教授

期節

第二期